原子層沉積系統(tǒng)（Atomic Layer Deposition，簡稱ALD）是一種優(yōu)良的薄膜沉積技術(shù)，通過在基底表面逐層沉積原子級厚度的材料來制備高質(zhì)量、高均勻性的薄膜。它以其精準(zhǔn)的厚度控制、優(yōu)異的保形性（對復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的覆蓋能力）和低溫沉積特性而著稱。

一、原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

1.腔體材質(zhì)：全鋁鋁質(zhì)腔體；

2.樣品臺尺寸：處理最大直徑4英寸樣品；

3.基片加熱溫度：室溫~315℃±1℃；

4.液體源：一路高蒸氣壓液體氧化劑（H2O或H2O2），3路固體或液體金屬源；

5.可變過程壓力控制0.1至1.5Torr；

6.ALD閥：Swagelok快速高溫ALD專用閥；

7.載氣系統(tǒng)：N2，壓力30Psi；

8.生長模式：連續(xù)和停留沉積模式任意選擇；

9.控制系統(tǒng)：16位7英寸彩色觸摸屏PLC操作控制；

10.4個(gè)世偉洛克熱敏ALD閥門；

11.5個(gè)高溫劑量容積填充閥；

12.帶輔助彎頭加熱器的保形加熱套，操作溫度室溫至150℃；

13.帶閥門的50ccSS前體瓶，波紋管密封高溫兼容閥;

14.Fujikin金屬密封，200sccmMFC流量質(zhì)量控制器，用于N2或Ar吹掃流量控制；

15.基于雙溫探頭的腔室加熱器控制系統(tǒng)和探頭故障保險(xiǎn)；

16.OEM 2級旋轉(zhuǎn)葉片泵，抽速18 cfm，極限真空3mtorr，包括Flomblin用于PFPE油；

二、原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)特點(diǎn)

精準(zhǔn)控制：薄膜厚度可精確至亞納米級（0.1 ?/cycle），重復(fù)性誤差<1%。

高均勻性：在復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)（如納米線、多孔材料）表面實(shí)現(xiàn)均勻覆蓋。

低溫工藝：部分機(jī)型支持室溫至300℃以上，范圍沉積，兼容熱敏感基材（如聚合物、生物材料）。

前驅(qū)體兼容性：支持金屬有機(jī)化合物、鹵化物、等離子體增強(qiáng)（PEALD）等多種反應(yīng)模式。

原位監(jiān)測：集成石英晶體微天平（QCM）、橢偏儀或光學(xué)反射儀，實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜生長。

三、原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體制造：高介電材料（HfO?、Al?O?）、晶體管柵極、DRAM電容薄膜。

新能源：鋰離子電池電極包覆層、燃料電池催化劑涂層。

光電子器件：OLED封裝層、光伏器件鈍化層。

納米技術(shù)：量子點(diǎn)涂層、MEMS器件防水/防腐蝕膜。

生物醫(yī)療：生物傳感器表面功能化、植入器械抗菌涂層。

3.1半導(dǎo)體工業(yè)

        原子層沉積系統(tǒng)在半導(dǎo)體制造中應(yīng)用廣泛，尤其是在集成電路（IC）和微電子器件的生產(chǎn)中。隨著器件尺寸不斷縮小至納米級，ALD能夠沉積超薄且均勻的高介電常數(shù)（high-k）材料（如HfO?、Al?O?）作為柵極絕緣層，替代傳統(tǒng)的SiO?。此外，它還用于沉積金屬（如鎢、銅）作為導(dǎo)電層或阻擋層，確保器件性能的穩(wěn)定性和可靠性。

3.2光電子與顯示技術(shù)

       原子層沉積系統(tǒng)在光電子領(lǐng)域，ALD被用于制備光學(xué)薄膜（如抗反射涂層）和透明導(dǎo)電氧化物（如ZnO、ITO），廣泛應(yīng)用于太陽能電池、LED和OLED顯示屏。例如，ALD可以沉積鈍化層（如Al?O?）以提高太陽能電池的效率，或制備保護(hù)層延長器件壽命。

3.3能源存儲與轉(zhuǎn)換

       原子層沉積系統(tǒng)在電池和燃料電池領(lǐng)域也有重要應(yīng)用。例如，在鋰離子電池中，ALD可用于沉積電極表面的保護(hù)層，防止電解質(zhì)腐蝕并提高循環(huán)穩(wěn)定性。在催化劑制備中，ALD能夠精確調(diào)控催化劑顆粒的大小和分布，提升能源轉(zhuǎn)換效率。

3.4生物醫(yī)學(xué)

       原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)可用于制備生物相容性涂層，應(yīng)用于醫(yī)療器械（如植入物、支架）的表面改性。例如，通過沉積TiO?或ZrO?薄膜，可以增強(qiáng)器械的耐腐蝕性和生物相容性，同時(shí)減少感染風(fēng)險(xiǎn)。

3.5納米技術(shù)

       原子層沉積系統(tǒng)是制備納米結(jié)構(gòu)（如納米管、納米線）和二維材料（如石墨烯、過渡金屬二硫化物）的關(guān)鍵技術(shù)。它能夠?qū)崿F(xiàn)原子級精度的表面改性，廣泛應(yīng)用于傳感器、納米電子器件和量子計(jì)算研究。

3.6其他工業(yè)應(yīng)用

防護(hù)涂層：ALD可沉積耐腐蝕、耐磨損的薄膜，用于航空航天、汽車零件等領(lǐng)域。

MEMS/NEMS：在微納機(jī)電系統(tǒng)（MEMS/NEMS）中，ALD用于制備功能層或犧牲層。

四、目前可以沉積的材料包括：

1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2

2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN

3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2

4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni

5）碳化物: TiC, NbC, TaC  

6）復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx

7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS